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HGTD7N60C3S9A

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부품 번호
HGTD7N60C3S9A
제조사
ON Semiconductor
기술
IGBT 600V 14A 60W TO252AA
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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부품 번호
HGTD7N60C3S9A
제조사
ON Semiconductor
기술
IGBT 600V 14A 60W TO252AA
부품 상태
Not For New Designs
IGBT 유형
-
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
600V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)
14A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm)
56A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 7A
전력 - 최대
60W
스위칭 에너지
165µJ (on), 600µJ (off)
입력 유형
Standard
게이트 차지
23nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C
-
시험 조건
-
역 회복 시간 (trr)
-
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급 업체 장치 패키지
TO-252AA

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