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NTJD1155LT1G

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부품 번호
NTJD1155LT1G
제조사
ON Semiconductor
기술
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
합계:$0.12800
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부품 번호
NTJD1155LT1G
제조사
ON Semiconductor
기술
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
부품 상태
Active
FET 유형
N and P-Channel
FET 특징
Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
8V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
1.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs
175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID
1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
-
전력 - 최대
400mW
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 업체 장치 패키지
SC-88/SC70-6/SOT-363

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