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S3DBHM4G

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부품 번호
S3DBHM4G
제조사
Taiwan Semiconductor
기술
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
S3DBHM4G.pdf
합계:$0.10472
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부품 번호
S3DBHM4G
제조사
Taiwan Semiconductor
기술
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
부품 상태
Active
다이오드 유형
Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대)
200V
전류 - 평균 정류 (Io)
3A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If
1.15V @ 3A
속도
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr)
1.5µs
전류 - 역방향 누설량 (Vr)
10µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F
40pF @ 4V, 1MHz
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
DO-214AA, SMB
공급 업체 장치 패키지
DO-214AA (SMB)
작동 온도 - 정션
-55°C ~ 150°C

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