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1N1206A

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부품 번호
1N1206A
제조사
GeneSiC Semiconductor
기술
DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
1N1206A.pdf
합계:$4.10428
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1PC
$4.10428

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부품 번호
1N1206A
제조사
GeneSiC Semiconductor
기술
DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
부품 상태
Active
다이오드 유형
Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대)
600V
전류 - 평균 정류 (Io)
12A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If
1.1V @ 12A
속도
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr)
-
전류 - 역방향 누설량 (Vr)
10µA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F
-
실장 형
Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스
DO-203AA, DO-4, Stud
공급 업체 장치 패키지
DO-4
작동 온도 - 정션
-65°C ~ 200°C

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