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집 제품 이산 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 FDG6303N

FDG6303N

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부품 번호
FDG6303N
제조사
ON Semiconductor
기술
MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
합계:$0.10296
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$0.10296

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부품 번호
FDG6303N
제조사
ON Semiconductor
기술
MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
부품 상태
Active
FET 유형
2 N-Channel (Dual)
FET 특징
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
25V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
500mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs
450 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID
1.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
2.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
50pF @ 10V
전력 - 최대
300mW
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 업체 장치 패키지
SC-88 (SC-70-6)

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