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집 제품 이산 반도체 제품 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single FDC2612

FDC2612

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부품 번호
FDC2612
제조사
ON Semiconductor
기술
MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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부품 번호
FDC2612
제조사
ON Semiconductor
기술
MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
1.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
725 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
4.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
11nC @ 10V
Vgs (최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
234pF @ 100V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
1.6W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
SuperSOT™-6
패키지 / 케이스
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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