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EPC2107ENGRT

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부품 번호
EPC2107ENGRT
제조사
EPC
기술
GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
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부품 번호
EPC2107ENGRT
제조사
EPC
기술
GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE
부품 상태
Active
FET 유형
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET 특징
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
1.7A, 500mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs
320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs (th) (최대) @ ID
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
16pF @ 50V, 7pF @ 50V
전력 - 최대
-
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
9-VFBGA
공급 업체 장치 패키지
9-BGA (1.35x1.35)

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