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MURTA400120R

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부품 번호
MURTA400120R
제조사
GeneSiC Semiconductor
기술
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
MURTA400120R.pdf
합계:$121.73056
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1PC
$121.73056

견적 인용

부품 번호
MURTA400120R
제조사
GeneSiC Semiconductor
기술
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
부품 상태
Active
다이오드 구성
1 Pair Common Anode
다이오드 유형
Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대)
1200V
전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
200A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If
2.6V @ 200A
속도
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr)
-
전류 - 역방향 누설량 (Vr)
25µA @ 1200V
작동 온도 - 정션
-55°C ~ 150°C
실장 형
Chassis Mount
패키지 / 케이스
Three Tower
공급 업체 장치 패키지
Three Tower

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