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DF23MR12W1M1B11BPSA1

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부품 번호
DF23MR12W1M1B11BPSA1
제조사
Infineon Technologies
기술
MOSFET MOD 1200V 25A
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
DF23MR12W1M1B11BPSA1.pdf
합계:$98.77000
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$98.77000

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부품 번호
DF23MR12W1M1B11BPSA1
제조사
Infineon Technologies
기술
MOSFET MOD 1200V 25A
부품 상태
Active
FET 유형
2 N-Channel (Dual)
FET 특징
Silicon Carbide (SiC)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
1200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
25A (Tj)
Rds On (최대) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 25A, 15V (Typ)
Vgs (th) (최대) @ ID
5.55V @ 10mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
62nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1840pF @ 800V
전력 - 최대
20mW
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Chassis Mount
패키지 / 케이스
Module
공급 업체 장치 패키지
AG-EASY1BM-2

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