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TPW1R005PL,L1Q

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부품 번호
TPW1R005PL,L1Q
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
기술
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
합계:$1.21800
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$1.21800

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부품 번호
TPW1R005PL,L1Q
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
기술
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
45V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
300A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (최대) @ ID
2.4V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
122nC @ 10V
Vgs (최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
9600pF @ 22.5V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
960mW (Ta), 170W (Tc)
작동 온도
175°C
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
8-DSOP Advance
패키지 / 케이스
8-PowerVDFN

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