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RJK60S7DPP-E0#T2

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부품 번호
RJK60S7DPP-E0#T2
제조사
Renesas Electronics America
기술
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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합계:$6.46000
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부품 번호
RJK60S7DPP-E0#T2
제조사
Renesas Electronics America
기술
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
부품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
-
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
39nC @ 10V
Vgs (최대)
+30V, -20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2300pF @ 25V
FET 특징
Super Junction
전력 발산 (최대)
34.7W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급 업체 장치 패키지
TO-220FP
패키지 / 케이스
TO-220-3 Full Pack

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