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IPN60R3K4CEATMA1

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부품 번호
IPN60R3K4CEATMA1
제조사
Infineon Technologies
기술
MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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부품 번호
IPN60R3K4CEATMA1
제조사
Infineon Technologies
기술
MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
2.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
3.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
3.5V @ 40µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
4.6nC @ 10V
Vgs (최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
93pF @ 100V
FET 특징
Super Junction
전력 발산 (최대)
5W (Tc)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
PG-SOT223
패키지 / 케이스
SOT-223-3

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