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집 제품 이산 반도체 제품 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single IXTH2N170D2

IXTH2N170D2

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부품 번호
IXTH2N170D2
제조사
IXYS Corporation
기술
MOSFET N-CH 1700V 2A TO-247
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
IXTH2N170D2.pdf
합계:$11.58100
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$11.58100

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부품 번호
IXTH2N170D2
제조사
IXYS Corporation
기술
MOSFET N-CH 1700V 2A TO-247
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
1700V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
2A (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
0V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
6.5 Ohm @ 1A, 0V
Vgs (th) (최대) @ ID
-
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
110nC @ 5V
Vgs (최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3650pF @ 10V
FET 특징
Depletion Mode
전력 발산 (최대)
568W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급 업체 장치 패키지
TO-247 (IXTH)
패키지 / 케이스
TO-247-3

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