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TK31V60W5,LVQ

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부품 번호
TK31V60W5,LVQ
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
기술
MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
합계:$1.96700
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1PC
$1.96700

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부품 번호
TK31V60W5,LVQ
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
기술
MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
30.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
109 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
4.5V @ 1.5mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
105nC @ 10V
Vgs (최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3000pF @ 300V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
240W (Tc)
작동 온도
150°C (TA)
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
4-DFN-EP (8x8)
패키지 / 케이스
4-VSFN Exposed Pad

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