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EM6M1T2R

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부품 번호
EM6M1T2R
제조사
ROHM Semiconductor
기술
MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
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부품 번호
EM6M1T2R
제조사
ROHM Semiconductor
기술
MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
부품 상태
Not For New Designs
FET 유형
N and P-Channel
FET 특징
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
30V, 20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
100mA, 200mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs
8 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ ID
-
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
0.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
13pF @ 5V
전력 - 최대
150mW
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SOT-563, SOT-666
공급 업체 장치 패키지
EMT6

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