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집 제품 이산 반도체 제품 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single 2SJ661-1E

2SJ661-1E

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부품 번호
2SJ661-1E
제조사
ON Semiconductor
기술
MOSFET P-CH 60V 38A
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
합계:$2.36000
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$2.36000

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부품 번호
2SJ661-1E
제조사
ON Semiconductor
기술
MOSFET P-CH 60V 38A
부품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
38A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
39 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
-
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
80nC @ 10V
Vgs (최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4360pF @ 20V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
1.65W (Ta), 65W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급 업체 장치 패키지
TO-262-3
패키지 / 케이스
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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