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RJP020N06T100

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부품 번호
RJP020N06T100
제조사
ROHM Semiconductor
기술
MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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부품 번호
RJP020N06T100
제조사
ROHM Semiconductor
기술
MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
부품 상태
Not For New Designs
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
240 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID
1.5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
10nC @ 4V
Vgs (최대)
±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
160pF @ 10V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
500mW (Ta)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
MPT3
패키지 / 케이스
TO-243AA

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