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VT6M1T2CR

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부품 번호
VT6M1T2CR
제조사
ROHM Semiconductor
기술
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
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부품 번호
VT6M1T2CR
제조사
ROHM Semiconductor
기술
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
부품 상태
Active
FET 유형
N and P-Channel
FET 특징
Logic Level Gate, 1.2V Drive
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
100mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs
3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID
1V @ 100µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
7.1pF @ 10V
전력 - 최대
120mW
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
6-SMD, Flat Leads
공급 업체 장치 패키지
VMT6

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