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TK8Q65W,S1Q

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부품 번호
TK8Q65W,S1Q
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
기술
MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
합계:$1.56000
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$1.56000

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부품 번호
TK8Q65W,S1Q
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
기술
MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
650V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
7.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
670 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
3.5V @ 300µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
16nC @ 10V
Vgs (최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
570pF @ 300V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
80W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급 업체 장치 패키지
I-PAK
패키지 / 케이스
TO-251-3 Stub Leads, IPak

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