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EPC2101ENGRT

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부품 번호
EPC2101ENGRT
제조사
EPC
기술
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
EPC2101ENGRT.pdf
합계:$4.77400
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재고 19588 PC

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1PC
$4.77400

견적 인용

부품 번호
EPC2101ENGRT
제조사
EPC
기술
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
부품 상태
Active
FET 유형
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 특징
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
9.5A, 38A
Rds On (최대) @ Id, Vgs
11.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ ID
2.5V @ 2mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
2.7nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
300pF @ 30V
전력 - 최대
-
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
Die
공급 업체 장치 패키지
Die

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