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DMG4800LSD-13

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부품 번호
DMG4800LSD-13
제조사
Diodes Incorporated
기술
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
DMG4800LSD-13.pdf
합계:$0.22860
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견적 인용

부품 번호
DMG4800LSD-13
제조사
Diodes Incorporated
기술
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
부품 상태
Active
FET 유형
2 N-Channel (Dual)
FET 특징
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
7.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
1.6V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
8.56nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
798pF @ 10V
전력 - 최대
1.17W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급 업체 장치 패키지
8-SOP

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