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FDG312P

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부품 번호
FDG312P
제조사
ON Semiconductor
기술
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
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$0.15686

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부품 번호
FDG312P
제조사
ON Semiconductor
기술
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6
부품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
1.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID
1.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
5nC @ 4.5V
Vgs (최대)
±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
330pF @ 10V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
750mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
SC-88 (SC-70-6)
패키지 / 케이스
6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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