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TSM60NB190CI C0G

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부품 번호
TSM60NB190CI C0G
제조사
Taiwan Semiconductor
기술
MOSFET N-CH 600V 18A ITO220
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
TSM60NB190CI C0G.pdf
합계:$2.85000
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부품 번호
TSM60NB190CI C0G
제조사
Taiwan Semiconductor
기술
MOSFET N-CH 600V 18A ITO220
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
31nC @ 10V
Vgs (최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1273pF @ 100V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
33.8W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급 업체 장치 패키지
ITO-220AB
패키지 / 케이스
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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