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NVMFS4C302NT1G

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부품 번호
NVMFS4C302NT1G
제조사
ON Semiconductor
기술
NFET SO8FL 30V 1.15MO
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
합계:$0.73260
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부품 번호
NVMFS4C302NT1G
제조사
ON Semiconductor
기술
NFET SO8FL 30V 1.15MO
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
43A (Ta), 241A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
1.15 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
2.2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
82nC @ 10V
Vgs (최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
5780pF @ 15V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
3.75W (Ta), 115W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN, 5 Leads

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