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US6K4TR

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부품 번호
US6K4TR
제조사
ROHM Semiconductor
기술
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
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무연 / RoHS 준수
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$0.21235

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부품 번호
US6K4TR
제조사
ROHM Semiconductor
기술
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
부품 상태
Active
FET 유형
2 N-Channel (Dual)
FET 특징
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
1.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID
1V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
110pF @ 10V
전력 - 최대
1W
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
6-SMD, Flat Leads
공급 업체 장치 패키지
TUMT6

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