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집 제품 이산 반도체 제품 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single TP65H035WS

TP65H035WS

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부품 번호
TP65H035WS
제조사
Transphorm
기술
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
합계:$19.47000
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굴절 가격
(미국 달러로)		 1PC
$19.47000

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부품 번호
TP65H035WS
제조사
Transphorm
기술
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
650V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
46.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
12V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
41 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
4.8V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
36nC @ 10V
Vgs (최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1500pF @ 400V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
156W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급 업체 장치 패키지
TO-247-3
패키지 / 케이스
TO-247-3

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