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SSM6N61NU,LF

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부품 번호
SSM6N61NU,LF
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
기술
MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
합계:$0.15035
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$0.15035

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부품 번호
SSM6N61NU,LF
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
기술
MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN
부품 상태
Active
FET 유형
2 N-Channel (Dual)
FET 특징
Logic Level Gate, 1.5V Drive
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID
1V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
3.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
410pF @ 10V
전력 - 최대
2W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
6-WDFN Exposed Pad
공급 업체 장치 패키지
6-UDFNB (2x2)

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