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FGA50N100BNTD2

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부품 번호
FGA50N100BNTD2
제조사
ON Semiconductor
기술
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
FGA50N100BNTD2.pdf
합계:$8.50000
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(미국 달러로)
1PC
$8.50000

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부품 번호
FGA50N100BNTD2
제조사
ON Semiconductor
기술
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
부품 상태
Active
IGBT 유형
NPT and Trench
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
1000V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)
50A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm)
200A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic
2.9V @ 15V, 60A
전력 - 최대
156W
스위칭 에너지
-
입력 유형
Standard
게이트 차지
257nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C
34ns/243ns
시험 조건
600V, 60A, 10 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr)
75ns
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-3P-3, SC-65-3
공급 업체 장치 패키지
TO-3P

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