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SI4946CDY-T1-GE3

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부품 번호
SI4946CDY-T1-GE3
제조사
Vishay
기술
MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
SI4946CDY-T1-GE3.pdf
합계:$0.38758
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견적 인용

부품 번호
SI4946CDY-T1-GE3
제조사
Vishay
기술
MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8
부품 상태
Active
FET 유형
2 N-Channel (Dual)
FET 특징
Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
5.2A (Ta), 6.1A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs
40.9 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
3V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
10nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
350pF @ 30V
전력 - 최대
2W (Ta), 2.8W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급 업체 장치 패키지
8-SO

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