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PHK4NQ10T,518

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부품 번호
PHK4NQ10T,518
제조사
NXP Semiconductors
기술
MOSFET N-CH 100V SOT96-1
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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부품 번호
PHK4NQ10T,518
제조사
NXP Semiconductors
기술
MOSFET N-CH 100V SOT96-1
부품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
70 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
4V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
22nC @ 10V
Vgs (최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
880pF @ 25V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
2.5W (Ta)
작동 온도
-65°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
8-SO
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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