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EPC2212

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부품 번호
EPC2212
제조사
EPC
기술
AEC-Q101 GAN FET 100V 13.5 MOHM
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
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견적 인용

부품 번호
EPC2212
제조사
EPC
기술
AEC-Q101 GAN FET 100V 13.5 MOHM
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
18A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
13.5 mOhm @ 11A, 5V
Vgs (th) (최대) @ ID
2.5V @ 3mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
4nC @ 5V
Vgs (최대)
+6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
407pF @ 50V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
-
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
Die
패키지 / 케이스
Die

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