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IPU60R2K0C6AKMA1

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부품 번호
IPU60R2K0C6AKMA1
제조사
Infineon Technologies
기술
MOSFET N-CH 600V TO-251
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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부품 번호
IPU60R2K0C6AKMA1
제조사
Infineon Technologies
기술
MOSFET N-CH 600V TO-251
부품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
2.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 760mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
3.5V @ 60µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
6.7nC @ 10V
Vgs (최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
140pF @ 100V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
22.3W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급 업체 장치 패키지
PG-TO251-3
패키지 / 케이스
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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