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IDB18E120ATMA1

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부품 번호
IDB18E120ATMA1
제조사
Infineon Technologies
기술
DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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부품 번호
IDB18E120ATMA1
제조사
Infineon Technologies
기술
DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3
부품 상태
Obsolete
다이오드 유형
Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대)
1200V
전류 - 평균 정류 (Io)
31A (DC)
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If
2.15V @ 18A
속도
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr)
195ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr)
100µA @ 1200V
커패시턴스 @ Vr, F
-
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급 업체 장치 패키지
PG-TO263-3
작동 온도 - 정션
-55°C ~ 150°C

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