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BS2100F-E2

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부품 번호
BS2100F-E2
제조사
ROHM Semiconductor
기술
IC DVR IGBT/MOSFET
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
합계:$0.49840
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1PC
$0.49840

견적 인용

부품 번호
BS2100F-E2
제조사
ROHM Semiconductor
기술
IC DVR IGBT/MOSFET
부품 상태
Not For New Designs
구동 구성
Half-Bridge
채널 유형
Independent
드라이버 수
2
게이트 유형
N-Channel MOSFET
전압 - 공급
10V ~ 18V
논리 전압 - VIL, VIH
1V, 2.6V
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크)
60mA, 130mA
입력 유형
Non-Inverting
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩)
600V
상승 / 하강 시간 (일반)
200ns, 100ns
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급 업체 장치 패키지
8-SOP

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