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DF200R12W1H3B27BOMA1

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부품 번호
DF200R12W1H3B27BOMA1
제조사
Infineon Technologies
기술
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
DF200R12W1H3B27BOMA1.pdf
합계:$51.67958
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$51.67958

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부품 번호
DF200R12W1H3B27BOMA1
제조사
Infineon Technologies
기술
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
부품 상태
Active
IGBT 유형
-
구성
2 Independent
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)
30A
전력 - 최대
375W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic
1.3V @ 15V, 30A
전류 - 콜렉터 차단 (최대)
1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
2nF @ 25V
입력
Standard
NTC 서미스터
Yes
작동 온도
-40°C ~ 150°C
실장 형
Chassis Mount
패키지 / 케이스
Module
공급 업체 장치 패키지
Module

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