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EPC2100

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부품 번호
EPC2100
제조사
EPC
기술
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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합계:$4.71200
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재고 19847 PC

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(미국 달러로)
1PC
$4.71200

견적 인용

부품 번호
EPC2100
제조사
EPC
기술
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
부품 상태
Active
FET 유형
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 특징
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs
8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (최대) @ ID
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
전력 - 최대
-
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
Die
공급 업체 장치 패키지
Die

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