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TK100L60W,VQ

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부품 번호
TK100L60W,VQ
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
기술
MOSFET N CH 600V 100A TO3PL
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
합계:$31.20000
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(미국 달러로)
1PC
$31.20000

견적 인용

부품 번호
TK100L60W,VQ
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
기술
MOSFET N CH 600V 100A TO3PL
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
3.7V @ 5mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
360nC @ 10V
Vgs (최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
15000pF @ 30V
FET 특징
Super Junction
전력 발산 (최대)
797W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급 업체 장치 패키지
TO-3P(L)
패키지 / 케이스
TO-3PL

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