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집 제품 이산 반도체 제품 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single IXFN180N25T

IXFN180N25T

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부품 번호
IXFN180N25T
제조사
IXYS Corporation
기술
MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
IXFN180N25T.pdf
합계:$18.70000
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(미국 달러로)		 1PC
$18.70000

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부품 번호
IXFN180N25T
제조사
IXYS Corporation
기술
MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
250V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
168A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
12.9 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
5V @ 8mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
345nC @ 10V
Vgs (최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
28000pF @ 25V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
900W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Chassis Mount
공급 업체 장치 패키지
SOT-227B
패키지 / 케이스
SOT-227-4, miniBLOC

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