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GA03JT12-247

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부품 번호
GA03JT12-247
제조사
GeneSiC Semiconductor
기술
TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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부품 번호
GA03JT12-247
제조사
GeneSiC Semiconductor
기술
TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB
부품 상태
Obsolete
FET 유형
-
과학 기술
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
1200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
3A (Tc) (95°C)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
-
Rds On (최대) @ Id, Vgs
460 mOhm @ 3A
Vgs (th) (최대) @ ID
-
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
-
Vgs (최대)
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
-
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
15W (Tc)
작동 온도
175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급 업체 장치 패키지
TO-247AB
패키지 / 케이스
TO-247-3

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