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TSM680P06DPQ56 RLG

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부품 번호
TSM680P06DPQ56 RLG
제조사
Taiwan Semiconductor
기술
MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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부품 번호
TSM680P06DPQ56 RLG
제조사
Taiwan Semiconductor
기술
MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN
부품 상태
Active
FET 유형
2 P-Channel (Dual)
FET 특징
Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
12A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs
68 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
2.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
16.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
870pF @ 30V
전력 - 최대
3.5W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
공급 업체 장치 패키지
8-PDFN (5x6)

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