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IPSA70R2K0P7SAKMA1

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부품 번호
IPSA70R2K0P7SAKMA1
제조사
Infineon Technologies
기술
MOSFET TO251-3
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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합계:$0.71000
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부품 번호
IPSA70R2K0P7SAKMA1
제조사
Infineon Technologies
기술
MOSFET TO251-3
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
700V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
3A
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
3.5V @ 30µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
3.8nC @ 400V
Vgs (최대)
±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
130pF @ 400V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
17.6W (Tc)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급 업체 장치 패키지
PG-TO251-3-347
패키지 / 케이스
TO-251-3 Stub Leads, IPak

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