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APTM10DHM05G

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부품 번호
APTM10DHM05G
제조사
Microsemi
기술
MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
합계:$111.33620
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$111.33620

견적 인용

부품 번호
APTM10DHM05G
제조사
Microsemi
기술
MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6
부품 상태
Active
FET 유형
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 특징
Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
278A
Rds On (최대) @ Id, Vgs
5 mOhm @ 125A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
4V @ 5mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
700nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
20000pF @ 25V
전력 - 최대
780W
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Chassis Mount
패키지 / 케이스
SP6
공급 업체 장치 패키지
SP6

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