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DGD2117S8-13

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부품 번호
DGD2117S8-13
제조사
Diodes Incorporated
기술
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
DGD2117S8-13.pdf
합계:$1.11600
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(미국 달러로)
1PC
$1.11600

견적 인용

부품 번호
DGD2117S8-13
제조사
Diodes Incorporated
기술
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
부품 상태
Active
구동 구성
High-Side
채널 유형
Single
드라이버 수
1
게이트 유형
IGBT, N-Channel MOSFET
전압 - 공급
10V ~ 20V
논리 전압 - VIL, VIH
6V, 9.5V
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크)
290mA, 600mA
입력 유형
Non-Inverting
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩)
600V
상승 / 하강 시간 (일반)
75ns, 35ns
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급 업체 장치 패키지
8-SO

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