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EPC2111ENGRT

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부품 번호
EPC2111ENGRT
제조사
EPC
기술
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
EPC2111ENGRT.pdf
합계:$1.54000
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1PC
$1.54000

견적 인용

부품 번호
EPC2111ENGRT
제조사
EPC
기술
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
부품 상태
Active
FET 유형
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 특징
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
16A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (최대) @ ID
2.5V @ 5mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
230pF @ 15V, 590pF @ 15V
전력 - 최대
-
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
Die
공급 업체 장치 패키지
Die

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