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GT60N321(Q)

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부품 번호
GT60N321(Q)
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
기술
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
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부품 번호
GT60N321(Q)
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
기술
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
부품 상태
Obsolete
IGBT 유형
-
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
1000V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)
60A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm)
120A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 60A
전력 - 최대
170W
스위칭 에너지
-
입력 유형
Standard
게이트 차지
-
Td (온 / 오프) @ 25 ° C
330ns/700ns
시험 조건
-
역 회복 시간 (trr)
2.5µs
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-3PL
공급 업체 장치 패키지
TO-3P(LH)

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