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IPB180N03S4L01ATMA1

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부품 번호
IPB180N03S4L01ATMA1
제조사
Infineon Technologies
기술
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
IPB180N03S4L01ATMA1.pdf
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부품 번호
IPB180N03S4L01ATMA1
제조사
Infineon Technologies
기술
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
180A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
1.05 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
2.2V @ 140µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
239nC @ 10V
Vgs (최대)
±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
17600pF @ 25V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
188W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
PG-TO263-7-3
패키지 / 케이스
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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