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PMDPB95XNE,115

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부품 번호
PMDPB95XNE,115
제조사
NXP Semiconductors
기술
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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부품 번호
PMDPB95XNE,115
제조사
NXP Semiconductors
기술
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6
부품 상태
Obsolete
FET 유형
2 N-Channel (Dual)
FET 특징
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
2.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID
1.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
143pF @ 15V
전력 - 최대
475mW
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
6-UDFN Exposed Pad
공급 업체 장치 패키지
DFN2020-6

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