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S1MLHR3G

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부품 번호
S1MLHR3G
제조사
Taiwan Semiconductor
기술
DIODE GEN PURP 1000V 1A SUB SMA
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
S1MLHR3G.pdf
합계:$0.06834
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부품 번호
S1MLHR3G
제조사
Taiwan Semiconductor
기술
DIODE GEN PURP 1000V 1A SUB SMA
부품 상태
Active
다이오드 유형
Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대)
-
전류 - 평균 정류 (Io)
1A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If
1.1V @ 1A
속도
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr)
1.8µs
전류 - 역방향 누설량 (Vr)
5µA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F
9pF @ 4V, 1MHz
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
DO-219AB
공급 업체 장치 패키지
Sub SMA
작동 온도 - 정션
-55°C ~ 175°C

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