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1N5400G B0G

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부품 번호
1N5400G B0G
제조사
Taiwan Semiconductor
기술
DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
1N5400G B0G.pdf
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부품 번호
1N5400G B0G
제조사
Taiwan Semiconductor
기술
DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
부품 상태
Active
다이오드 유형
Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대)
50V
전류 - 평균 정류 (Io)
3A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If
1.1V @ 3A
속도
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr)
-
전류 - 역방향 누설량 (Vr)
5µA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F
25pF @ 4V, 1MHz
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
DO-201AD, Axial
공급 업체 장치 패키지
DO-201AD
작동 온도 - 정션
-55°C ~ 150°C

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