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BYC8B-600PQP

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부품 번호
BYC8B-600PQP
제조사
NXP Semiconductors
기술
DIODE GEN PURP 600V 8A
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
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견적 인용

부품 번호
BYC8B-600PQP
제조사
NXP Semiconductors
기술
DIODE GEN PURP 600V 8A
부품 상태
Active
다이오드 유형
Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대)
600V
전류 - 평균 정류 (Io)
8A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If
3.4V @ 8A
속도
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr)
18ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr)
20µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F
-
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급 업체 장치 패키지
D2PAK
작동 온도 - 정션
175°C (Max)

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